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搜索结果: 1-5 共查到理学 undoped相关记录5条 . 查询时间(0.048 秒)
The presence of interface states at the MOS interface is a well-known cause of device gradation.This is particularly true for ultra-scaled FinFET geometries where the presence of a few traps can stron...
2005Vol.44No.6pp.1099-1102DOI: DMRG Studies on Properties of Undoped and Doped Molecule-Based Ferromagnetic Chain YAO Kai-Lun,1,2 QIN Yi,1 LIU Qing-Mei,1 and LIU Zu-Li1 ...
专著信息 书名 Undoped Gallium Antimonide Studied by Positron Annihilation Spectroscopy 语种 英文 撰写或编译 作者 S.K. Ma,C.C. Ling,H.M. Weng,and D.S. Hang 第一作者单位 出版社 Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 799, Z5.30.1 (2004) 出版地 ...
专著信息 书名 Electron-irradiated liquid encapsulated Czochralski grown undoped gallium antimonide studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 语种 英文 撰写或编译 作者 Ma,S K,Lui,M K,Ling,C C,Fung...
Absorption measurements were carried out in GaSe and GaSe:Gd samples in temperature range 10-320 K in steps 10 K. The first and the second (n=1 and n=2) excitonic levels were marked. The first exciton...

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