搜索结果: 1-1 共查到“薄膜物理学 Hf0.5Zr0.5O2”相关记录1条 . 查询时间(0.062 秒)
由于具有纳米尺度稳定的铁电性和良好的CMOS兼容性，铪基铁电薄膜有望直接集成到当前的CMOS芯片中构建微纳电子器件，解决传统钙钛矿铁电薄膜在电子器件应用上的难题。因此，新型的铪基铁电材料不仅受到学术界的强烈关注，而且备受产业界（英特尔、三星、格罗方德、华为等）的青睐，被认为是解决后摩尔时代电子器件诸多瓶颈问题的关键材料之一。