搜索结果: 1-5 共查到“工学 LNA”相关记录5条 . 查询时间(0.109 秒)
一种应用于数字电视中的CMOS宽带高线性LNA设计
低噪声放大器 宽带 高线性 噪声抵消
2015/10/29
基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一款应用于数字电视中的CMOS宽带高线性低噪声放大器。该电路采用传统宽带低噪声放大器的改进结构。为了提高LNA的线性度，采用伏尔特拉级数分析了电路的非线性分量，并修正了传统的噪声抵消电路用于抵消整个电路的非线性分量。基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺对其进行了设计，仿真结果表明：此LNA在50～860 MHz频带内，增益为12.7～13.3 ...
A 12 dB 0.7V 850 μWCMOS LNA for 866MHz UHF RFID Reader
a narrow-band cascode CMOS LNA RFID
2010/12/3
The design of a narrow-band cascode CMOS inductive source-degenerated low noise amplifier (LNA) for 866 MHz UHF RFID reader is presented. Compared to other previously reported narrow-band LNA de...
一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA
RF CMOS 低噪声放大器(LNA) 噪声消除 宽带 可变增益
2011/5/18
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势，该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA)，采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配，并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能；输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片，芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz，...
分析了具有源级退化电感的CMOS共源共栅结构电路在低频、低功耗LNA设计中存在的缺陷，为满足低频、低功耗设计的要求，现广泛采用在该电路结构基础上再并联栅极电容的结构.今按照噪声系数的定义严格推导了该结构电路的噪声参数表达式，并基于推导的公式分析了该结构在CMOS低频、低功耗LNA设计中的重要应用.最后实现了一个基于0.18 μm CMOS工艺的ISM频段应用的433 MHz LNA的设计，运用Ag...
掺Nd离子LNA激光晶体的激光特性研究
LNA负反馈 锁模
2008/4/13
掺钕离子的LNA因具有宽荧光谱线、高的增益系数、高掺杂浓度和有利于多种泵浦类型的宽的吸收光谱而被应用于超短脉冲领域。利用负反馈控制技术对这种新型的激光材料进行了锁模研究。获得了近变换限的脉宽5ps，光谱半宽0.43nm的稳定激光输出。