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搜索结果: 1-12 共查到工学 MBE相关记录12条 . 查询时间(0.031 秒)
Source oxidation of easily oxidizing elements such as Ca, Sr, Ba, and Ti in an oxidizing ambient leads to their flux instability and is one of the biggest problems in the multi-elemental oxide Molecul...
多带激励语音压缩(MBE)算法广泛应用于保密通信中,近来,随着语音压缩编解码技术的进步,信息隐藏载体的多样化发展,出现了以MBE为载体的密写文件。为了保障保密通信安全,提出了一种MBE算法的分析与优化技术。通过对算法的清浊音判决模块优化,浮点转定点,牛顿迭代法实现开平方,对超越函数查表实现等方法,并采用基于SOC/Leon3微处理器架构的现场可编程门阵列(FPGA)实现,减少了近45%硬件资源的消...
研究了空气退火对于激光分子束外延(L-MBE)法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析(GIXA)技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面(in-plane)Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后...
MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究。
本项目得到“MBE生长高功率980nm应变量子阱激光器研究”(20000535)的资助。980nm应变量子阱激光器采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制量子阱线性缓变折射率波导结构,利用分子束外延技术生长获得。经过光刻、腐蚀、蒸发、合金、解理等工艺制作出激光器厘米条,再采用铟焊、金丝球焊等技术将厘米条激光器组装在热沉上,封装成完整线列阵器件。该项目研制的980nm半导体激光器采用InGa...
本文用低温光致荧光(PL)谱及X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的GaAlAs/GaAs(100)量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性.通过改变衬底温度、Ⅴ/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料,低温光致荧光峰的半峰宽达到1.7meV,双晶衍射峰的半峰宽为9.68″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进...
利用V80型MBE生长GaAiAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构。测试结果表明,该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵,室温连续输出功率达7.2W,峰值波长为807-809nm,经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为Q//=8,Q=3.5。
赵科新,男,1966年10月生于辽宁省沈阳市,1990年毕业于上海交通大学机械工程系,获硕士学位。现任中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司真空仪器二部部长,研究员。毕业十余年来,一直从事各种表面真空仪器的研制和开发工作,在行业内享有较高的声望。曾主持研究开发成功了中国科学院重大仪器攻关项目“Ⅴ型分子束外延(MBE)设备”的研制工作,获1994国家级新产品奖;1995年主持开发成功了国内第一台最先...
摘要 利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜, 通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响. 研究结果表明, 1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性. 在更高的衬底温度下生长, 会导致大的孔洞形成, 衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错, 从而使晶体质量变差. 在低衬底...
应我所邀请,美国国家科学院院士、中国科学院外籍院士,被誉为“MBE技术之父”的卓以和院士于2007年10月16日来我所访问交流并作了学术报告。所长封松林,党委书记王曦、副所长齐鸣、李爱珍研究员以及上海分院系统近200名职工及研究生参加了报告会。
随着研究生的不断扩招,物理室的研究生队伍也不断扩大,为避免因扩招而导致师资力量不足和研究生培养质量下降,MBE材料与器件组在研究生培养形式上进行了有益探索,通过建立定期的学术活动机制,利用集体的力量和智慧,共同指导和培养研究生。具体做法是采取双循环模式,由研究生循环做报告并轮流担任主持人,每周定期由1~2名研究生做报告,主要汇报近期取得的结果、存在的问题和下一步打算,课题组所有成员和研究生都不得无...
A quantum well optoelectronic switch (QWOES) based on regenerative loop of potential barrier lowering resulted from the forward biased pn junction is demonstrated in a AlGaAs/GaAs/InGaAs double hetero...

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