搜索结果: 1-15 共查到“工学 SiC”相关记录394条 . 查询时间(0.156 秒)
功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子速度快等优势,可大幅提高空间电源的传输功率和能源转换效率,简化散热设备,降低发射成本或增加装载容量,功率-体积比提高近5倍,满足空间电源系统高能效、小型化和轻量化需求。
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中国科学院微电子研究所基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展(图)
复合 电子 器件
2025/1/14
2024年12月20日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。
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中国科学院理化所报道升量级SiC气凝胶的快速低成本制备技术(图)
气相沉积 纳米 合成
2024/9/17
碳化硅(SiC)是一种典型的非氧化物高技术陶瓷,SiC陶瓷产业的发展依赖于高端SiC粉体原料与产品的研发与快速、低成本生产。SiC气凝胶是SiC高端产品的另一种典型代表。目前,已报道的如碳热还原法、化学气相沉积法、3D打印技术等能够制备出具有循环压缩性、高拉伸性等优异性能的SiC纳米线气凝胶。但这些方法普遍存在工艺复杂、生产周期长和制造成本高等问题,与成熟的超临界干燥工艺制备的SiO2气凝胶相比缺...
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随着功率模块朝着高温、高功率、高密度方向发展,这对模块的封装结构提出了新的要求。较传统的引线键合结构,双面散热结构由于具有高散热能力和低寄生电感等特点受到广泛关注。但是双面散热结构材料间热膨胀系数的差异使之承受较大的热-机械应力,降低了功率模块的可靠性。因此,为设计具有低热-机械应力双面散热双向开关,本研究首先使用仿真分析了芯片布局对模块散热性能以及寄生电感的影响,在此基础上提出了一种具有低杨氏模...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...