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PC型HgCdTe光电探测器在双波段组合激光辐照下的温升计算
光电探测器 激光辐照 波段内激光
2009/8/24
把传统漂移扩散模型和热传导方程相结合，模型中波段内正常探测信号激光作为背景光，波段外激光作为干扰和毁伤用激光，考虑波段内激光的本征载流子带间跃迁吸收和波段外激光的自由载流子带内跃迁吸收的光吸收机制，以及器件温升与载流子寿命、浓度、迁移率和光吸收系数等材料参数之间的相互影响，数值计算了PC型HgCdTe光电探测器在双波段组合激光辐照下的温度响应过程，得到了不同功率密度的波段内和波段外激光组合辐照对探...
低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响
HgCdTe 退火 辐照效应
2009/2/19
研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1 Mrad的辐照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为313～333 K，退火时间在5~16 h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的γ辐照效应的影响。实验表明：低...
Molecular Beam Epitaxy of HgCdTe for IR FPAs Detectors
Molecular Beam Epitaxy HgCdTe IR FPAs Detectors
2010/7/15
The recent progress in MBE growth of HgCdTe at the Epitaxy Research Center for Advanced Materials, and the National Laboratory for Infrared Physics is reported. It is found that the excellent composit...