搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 n-GaAs”相关记录29条 . 查询时间(0.161 秒)
An Electronically Reconfigurable Three Band Low-Noise Amplifier in 0.5 μm GaAs pHEMT Technology
RFIC MMIC LNA Reconfigurable IC
2014/12/8
State-of-the-art RF front-end circuits are typically designed to operate at a single frequency. With an increasing number of available wireless standards, personal mobile communication devices require...
GaAs光阴极激活稳定性研究
GaAs光阴极 激活 稳定性 表面势垒
2016/8/19
为了提高Cs-O激活后GaAs光阴极的稳定性，延长像管的使用寿命，从Cs-O激活方面着手进行研究，寻找解决途径。改变GaAs光阴极激活中的Cs过量，并在线监测真空环境下光电流的变化情况，寻找激活对GaAs光阴极稳定性的影响因素。分别进行3组5种比例的激活实验，在光电流下降至Cs峰峰值90%、70%、50%、30%和10%时给O进行交替激活。激活结束后，在低于1×10-8Pa的真空环境下在线监控30...
高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响
GaAs光阴极 表面 高温退火 XPS
2016/8/19
利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化，结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线，比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面，更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化，Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子，形成主要由键合...
均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究
GaAs光阴极 三偶极子模型 表面势垒 电势分布
2016/9/1
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试，模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程，在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正，建立了三偶极子模型。新模型认为，光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成，第一偶极层由GaAs（Zn）-——Cs+偶极子组成，第二偶极层由Cs2O偶极子组成，第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成，第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果，确立了势垒中...
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
发光管 GaAlAs/GaAs双异质结 深能级
2010/5/6
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED≈0.29eV和ET-EV≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与...
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/10
1月26日下午，应上海微系统所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。Xavier介绍了UMS的总体概况，UMS全球及中国区代工业务分布及潜在市场。据介绍，目前中国占领UMS流片代工业...
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统与信息技术研究所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/29
2010年1月26日下午，应上海微系统与信息技术研究所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,IDGaAlAs厚度d, GaAs迁移率和温度对Gm的影响。并指出了提高HIGFET...
在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验
NEA GaAs活化 表面清洁 表面温度控制
2009/11/17
NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10-7—6×10-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。
注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷
注硅砷化镓 快速热退火 离子注入 深能级
2009/11/17
用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec—0.53eV,σn=2.3×10-16cm2;ET2=Ec—0.81eV,σm=9.7×10-13cm2;密度典型值为NT1=8.0×1016cm-3,NT2=3.8×1016cm-3;表面附近,ET1...
i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析
绝缘栅场效应晶体管 有限元分析 二维数值模拟
2009/9/23
本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了改进。使计算的收敛速度和精度有了提高。可方便地得到器件内部的电位和载流子浓度等物理量的二维分布。其输出特性和实验数据基本吻合。
本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波...
GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析
GaAs组件 玻璃粘接 热辐射除气
2009/9/22
为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题，运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明：组件150℃为表面放气，450℃为材料体内放气，580℃为洁净表面获得温度，大于650℃ 时GaAs发射层面有As蒸发。这说明严格控制发射层表面洁净温度，是保证制备高性能阴极灵敏度的关键。
不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响
光阴极灵敏度 光阴极稳定性 Cs-to-O电流比 光电流
2009/9/22
鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响，从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性。以固定铯源电流，改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比，激活同类GaAs光阴极，得到了3组实验数据。对数据进行分析，结果表明：同类光阴极在相同条件下激活时，光电流出现的时间几乎一致，并且首个光电流峰值也非常接近；激活时ICs/IO=1.07是目前获得高灵敏度、高稳定性GaAs光阴极的最佳...
Effects of Double Delta Doping on Millimeter and Sub-millimeter Wave Response of Two-Dimensional Hot Electrons in GaAs Nanostructures
Carrier mobility Delta doping Hot carriers Quantum wells
2010/2/2
Carrier mobility has become the most important
characteristic of high speed low dimensional devices. Due to
development of very fast switching semiconductor devices, speed of
computer and communica...