搜索结果: 1-15 共查到“半导体材料”相关记录835条 . 查询时间(2.578 秒)
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
中国科学院半导体研究所固态光电信息技术研究室H组招聘启事
固态 光电信息 招聘启事
2024/10/25
中国科学院半导体研究所固态光电信息技术研究室H组致力于研究III-V组化合物半导体单晶材料生长和衬底制备等工作研制高性能红外光电探测器及激光器用晶圆材料。根据工作需要，拟招聘研发人员1-2名。
一直从事半导体材料、器件、工艺及其封装方面的研究工作，尤其是非制冷红外探测器的工艺及先进封装研究工作。作为项目负责人完成2项非制冷红外探测器国家重大计划研究项目，作为参与人完成相关国家研究项目10项，发表相关研究论文5篇，获得授权专利8项，并获得两项省部级奖励。
中国科学院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展（图）
薄膜 晶体 半导体材料
2024/8/11
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点，成为国际学术和产业界的关注点，其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性，为克服这一问题，传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度，在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此，需要提出更新的氧化物半导体材料体系，突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种中间带半导体材料及其制备方法和应用。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。
中国科学技术大学在半导体材料碲中发现巨大且可调的室温非线性霍尔效应（图）
半导体材料 碲 室温 非线性霍尔效应
2024/9/3
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授、李林副研究员研究团队联合高阳教授课题组，在固体材料非线性输运研究中取得重要进展。研究团队在单质半导体碲中观测到了巨大且可调的室温非线性霍尔效应，并实现了基于非线性霍尔效应的无线射频整流。相关研究成果以“Giant nonlinear Hall and wireles...
2024长三角集成电路材料产业创新合作大会成功举办（图）
长三角 集成电路 材料
2024/10/22
2024年6月21日，由浙江省半导体行业协会主办的长三角集成电路材料产业创新合作大会在湖州市南浔区成功举办，来自长三角乃至全国集成电路领域院士专家、行业协会代表、高校代表和产业链上下游企业负责人等300余人齐聚一堂，共商长三角集成电路材料产业高质量发展之路。
中国科学院成都分院重庆研究院在薄膜光伏领域取得新进展（图）
薄膜光伏 光电性能 有机半导体材料
2024/7/21
有机半导体材料在溶液中预聚集直接影响后续成膜及光电性能。对于溶液中有机半导体聚集行为的直接观测，有助于解析这一类超越分子层次的特殊构效关系。冷冻电镜可以将溶液态的分子迅速冷冻定型，由此可以直观揭示有机分子在溶液中的聚集行为。2024年6月14日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院（以下简称重庆研究院）研究人员与沙特阿卜杜拉国王科技大学的研究人员合作，通过冷冻电镜对有机光伏材料分子的溶液聚集行为进行了...
何琴玉，博士，教授，博士生导师，广州理工学院“帽峰学者”， ES Materials and Facturing 执行编辑。曾任广东省材料科学教学指导委员会常务副主任委员、华南师范大学材料科学与工程学科带头人、华南师范大学学报编辑等。在Materials Today Physics, J. Mater. Chem. A，Applied Physics Letters, Physical Revie...
北京时间2024年6月7日，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队在全球顶级学术期刊Science《科学》上以First Release形式在线发表了题为“Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching”最新研究成果。电子科技大学为第一完成单位，刘富才教授为共同通讯作者，光电科学与工...
中国工程院副院长李仲平率专家组调研中国科学院半导体研究所（图）
中国工程院 李仲平 半导体材料
2024/10/25
2024年4月26日下午，中国工程院副院长李仲平率材料领域某专家组调研半导体所，中国工程院院士陈良惠，党委书记、副所长冯仁国，副所长张韵，副所长薛春来，纪委书记翟金良以及科研骨干等参加调研座谈。座谈交流由冯仁国主持。
中华人民共和国科学技术部美国新技术可用于新型节能微电子设备开发
微电子 半导体材料 电子
2024/9/5
美国阿贡国家实验室科研人员开发出一项名为氧化还原门控的新技术，可以控制电子在半导体材料中的运动。科研人员设计了一种装置，可以通过在充当电子门的材料上施加电压来调节电子从一端到另一端的流动。当电压达到某个阈值时，材料将开始通过栅极从源氧化还原材料注入电子到沟道材料中。该技术可实现在低电压下大幅调节电流，从而改善电子设备的效率。此外，氧化还原门控技术还可用于开发新型低功耗半导体或量子器件，如类脑高效率...
国家纳米科学中心刘新风课题组实现室温下连续域束缚态中激子极化激元凝聚（图）
刘新风 光学 半导体材料
2024/8/8
国家纳米科学中心刘新风课题组与北京大学材料科学与工程学院张青课题组、清华大学物理系熊启华课题组，实现了室温下连续域束缚态（BICs）中激子极化激元凝聚，在低功率注入下获得了具有小发散角和长程相干性的涡旋光束，并探索了不同离散BIC激子极化激元模式间的光学开关效应，为激子极化激元器件在集成光子与拓扑光子学领域的实际应用奠定了基础。研究结果以Exciton Polariton Condensation...