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中国科学院半导体研究所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
砷化镓 自旋极化 半导体材料 自旋电子学
2024/10/25
中国科学院半导体研究所赵建华研究员团队与美国佛罗里达州立大学熊鹏教授团队在半导体自旋电子学领域开展了长期合作攻关，提出利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流（即“手性诱导自旋选择性效应”，Chirality-Induced Spin Selectivity，CISS） 的新型方案，用于在半导体中产生自旋极化。科研团队以“手性分子/半导体GaAs沟道”为核心构建横向自旋电子器件，观察到了表征自旋成功...
中国科学院半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题，受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中，通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化，将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题，从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究
GaAs/AlGaAs 量子阱 热红外 转换焦 平面材料
2023/8/31
GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究。
近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
中国科学院物理研究所专利：GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法
温度及功率变化研究电子辐射GaAs电池的热淬灭效应
光致发光 GaAs中间电池 热淬灭效应 非辐射复合中心
2021/1/11
为进一步探究电子辐射GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池GaAs中间电池的热淬灭效应，对该子电池进行了温度及功率变化光致发光谱测量，分析了发光峰强度及其峰位的变化。利用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合，得到辐射引入GaAs中间电池非辐射复合中心的热激活能（0.96 eV）。通过分析10~300 K温度范围内发光强度的热淬灭效应，发现发光强度与激发功率的关系从线性关系逐渐转变为...
150 keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响
GaAs太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命
2020/1/17
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失，导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能，其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象，制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池，以150 keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明，150 keV质子辐照后电池的量子效率衰减，且基区衰减...
为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终...
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电...
超快泵探针对GaAs中X射线诱导的瞬态光学反射率变化的探测
低温生长砷化镓 X射线探测器 折射率扰动 皮秒时间分辨
2016/8/16
理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大大减小了载流子寿命,使超热电子的弛豫时间小于1×10-12 s,载流子的复合时间小于 2×10-12 s,折射率的扰动时间约为2×10-12 s。通过理论分析,给出了自由载流子和俄歇效应对该弛豫过程的定量估算,与实验结果吻合较好。该研究表明低温生长砷化镓是一种有效的可用于单次...
An Electronically Reconfigurable Three Band Low-Noise Amplifier in 0.5 μm GaAs pHEMT Technology
RFIC MMIC LNA Reconfigurable IC
2014/12/8
State-of-the-art RF front-end circuits are typically designed to operate at a single frequency. With an increasing number of available wireless standards, personal mobile communication devices require...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 μm×300 μm台面,内电极压焊点面积为20 μm×20 μm,外电极压焊点面积为80 μm×80 μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 μm,8.32 μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰...
First Monolithic GaAs IQ Electro-optic Modulator, Demonstrated at 150 Gbit/s with 64-QAM
First Monolithic GaAs IQ Electro-optic Modulator 150 Gbit/s with 64-QAM
2014/11/6
We report on the first experimental demonstration of a GaAs IQ-modulator. Data rates of up to 150 Gbit/s are generated using QPSK, 16-QAM, 32-QAM and 64-QAM on a single carrier and polarization.
GaAs微尖上碳纳米管的制备
碳纳米管 热化学气相沉积 GaAs 选择液相外延
2013/9/28
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间,形态规整,具有较好的石墨微晶结构。在此基础上,提出在微尖上生长纳米管的模型,为实现微纳器件互联提供了一种新方法。