搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录160条 . 查询时间(3.334 秒)
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TMTT杂志发表2项新研究成果(图)
方小虎 TMTT杂志 毫米波 放大器
2024/10/24
中国科学院物理研究所铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池缺陷鉴别和调控取得重要进展(图)
薄膜 太阳能电池 器件
2024/11/4
铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S, Se)4,CZTSSe)太阳能电池因其组成元素丰度高且无毒、工业兼容性好等优点,为实现大规模、低成本薄膜光伏应用提供了重要路径,吸引了广泛关注。然而,CZTSSe材料的多元组分使其表现出复杂的原子自掺杂和缺陷特性,导致电池器件电荷非辐射复合和光电转换效率损失。通过缺陷调控实现电池效率提升面临重要挑战。一方面,电池器件电荷损失的微观路径及相应的缺陷在实验中尚未被准确...
钙钛矿太阳能电池研发取得重要突破
钙钛矿 太阳能 电池
2024/10/22
炬芯科技股份有限公司荣获“2024年度领军企业奖”
炬芯科技 领军 企业奖 芯片
2024/10/23
英飞凌研发低成本氮化镓芯片获突破
英飞凌 氮化镓 芯片 节能
2024/10/22
泰芯半导体通用MCU芯片设计,揭秘暴力风扇强劲“心脏”带来的科技革新
泰芯半导体 MCU芯片 暴力风扇 心脏
2024/10/23
中国科学院半导体研究所在垂直自旋器件的全电写入关键技术方面取得进展(图)
垂直 自旋 器件 全电写入
2024/10/25
CMOS数据转换器的基础与实现圆满举办(图)
CMOS 数据转化器
2024/10/25
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展(图)
演化 光电 神经网络 器件
2024/8/11
III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长,由于大的晶格失配和热失配,导致高密度穿透位错(108-1010),极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果,明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型(Small 2022, 18, 2200057),阐明了原子尺度界面应力释放机制(Nano Letters...
中国科学院半导体所等在砷化镓(GaAs)中产生自旋极化研究方面取得进展(图)
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题,受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中,通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化,将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题,从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。