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作为电力电子变换装置的“心脏”,碳化硅(SiC)功率器件有望引领未来能源革命。当前,正值碳化硅从6英寸向8英寸转型升级的过渡期。2024年以来,全球各大厂商纷纷传来关于8英寸碳化硅的最新进展。业内人士指出,碳化硅从6英寸转向8英寸是必然趋势,而8英寸量产将助推碳化硅产品走向规模化应用。
近日,上海理工大学材料与化学学院王丁团队在MEMS气体传感领域取得重要进展,相关研究成果以“Ultrafast and Parts-per-Billion-Level MEMS Gas Sensors by Hetero Interface Engineering of 2D/2D Cu-TCPP@ZnIn2S4 with Enriched Surface Sulfur Vacancie...
近日,美国斯坦福大学和爱思唯尔数据库(Elsevier Data Repository)联合发布了2024全球前2%顶尖科学家榜单(Stanford University Top 2 Scientists List),榜单分为“终身科学影响力排行榜”和“年度科学影响力排行榜”。天津国家芯火双创平台负责人马凯学、顶尖科学家工作室杨杰圣(Yeo Kiat Seng)教授入选,其中Yeo Kiat Se...
美国柏恩Bourns推出最新的AEC-Q200认证汽车级电池管理系统(BMS)变压器。BournsSM91872AL单通道加强隔离变压器,采用全自动过模工艺制造,为能源存储系统和电动汽车(EV)的BMS信号应用提供经济高效且高质量的解决方案。
全球首个真空噪声芯片发布     真空  噪声  芯片  电源纹波       2024/10/22
记者获悉,北京中科国光量子科技有限公司(以下简称“国光量子”)于近日成功推出了全球首个能够有效对抗电源纹波攻击等侧信道攻击的随机数芯片——真空噪声芯片。
美国柏恩Bourns推出业内首款240V/1kA双向功率TVS(PTVS)二极管,该产品在表面贴装封装中提供了最高的功率密度,再次展现其在创新和技术领域的领导地位。BournsPTVS1-240C-M PTVS二极管采用先进的硅工艺技术,具有极高的电压处理能力,加上二极管的表面贴装封装,使得这一瞬态电压保护器脱颖而出,独树一帜。
TDK株式会社(东京证券交易所代码:6762)推出爱普科斯 (EPCOS) B32377G系列新型三相交流滤波电容器。新系列元件采用三角形连接,填充物也不同于现有系列中的软聚氨酯树脂,而是不可燃的氮气。新电容器顺应了移动出行电气化和可再生能源发展的大趋势,可在逆变器的输入和/或输出端抑制谐波失真并减少无功功率,从而提高电能质量,并 增强风能、太阳能和工业驱动等应用的可靠性。
2024年9月19日,株式会社村田制作所在全球率先开发出了超小的006003-inch(0.16mmx0.08mm)多层陶瓷电容器。与现有的超小产品008004-inch(0.25mmx0.125mm)相比,体积缩小了约75%。该产品用于面向小型移动设备的各种模块和可穿戴设备,预计将于2024年末开始提供样品。
ROHM(总部位于日本京都市)针对内置测距和空间识别用LiDAR*1的车载ADAS(高级驾驶辅助系统)等目标应用,开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD8BQAB3”。将先向无人机、扫地机器人、AGV(无人搬运车)和服务机器人等消费电子和工业设备领域用户提供新产品样品。
2024年9月11日,全球碳化硅(SiC)技术引领者Wolfspeed,Inc.(NYSE:WOLF)于近日宣布推出最新2300 V无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计,可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升,将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款2300 V无基板碳化硅模块针对1500 V直流母线应用开发,并采用了Wolfspeed前沿领先的200 mm碳化...
2024年8月23日,英国克林顿滨海郡:高性能舌簧继电器的领导制造商Pickering Electronics将在2024年中国国际汽车测试博览会上展示其全面的高压(HV)舌簧继电器产品线,包括新推出的表面贴装型Series 219 reed继电器和单列直插式Series 104 reed继电器的5kV版本。
近日,中国电子学会主办期刊《电子测量与仪器学报》被国际知名文献摘要与引文数据库Scopus收录。Scopus由全球著名出版商爱思唯尔(Elsevier) 研发,提供全球科学、技术、医学、社会科学、艺术和人文等领域研究成果的全面概述,是规模最大的同行评议文献的摘要和引文数据库。能够被Scopus数据库收录,充分表明《电子测量与仪器学报》在学术影响力和期刊规范化等方面达到了国际标准。在此,谨向所有支持...
近日,合肥工业大学微电子学院先进能源材料与器件实验室研究团队开发了一种基于K+ 掺杂的溶液加工制备无机硒硫化锑半导体薄膜的沉积技术,获得了η ~8.96% 的高效光电转换效率。器件的开路电压(Voc)达到0.69 V,是目前Sb2(S,Se)3光电器件中基于单结CdS电子传输层(ETL)的最高Voc之一。相关研究成果在线发表在半导体器件领域的国际著名期刊IEEE Electron Device L...
近日,全球第四大、中国大陆第二大封测厂通富微电接受投资机构访谈时透露,已与AMD形成「合资+合作」的联合模式,建立紧密战略合作伙伴关系,签订长期业务协议,提供AMD AI PC芯片及工作训练推理用AI加速器封测服务,现为AMD最大封装测试供应商,AMD也成为通富微电大客户。
近日,南方科技大学深港微电子学院副教授詹陈长和澳门大学微电子研究院副教授路延团队合作设计的一款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2024于2024...

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