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中国科学院金属研究所等离子体CVD技术构筑金刚石-石墨材料取得新进展（图）
等离子体 石墨材料 电子器件
2024/5/13
共价金刚石-石墨材料，集合了金刚石和石墨的性质优势，能够实现超硬、极韧、导电等优越性能组合，在超硬和电子器件领域极具研究和发展价值。由于金刚石-石墨共价界面能高，目前主要通过高温高压方法来活化碳原子，实现该材料的构筑。等离子体化学气相沉积（CVD）是金刚石面向功能应用的主要发展方向，借助CVD技术构筑共价金刚石-石墨材料，并探索金刚石和石墨两相界面的新奇物性受到研究人员的关注。
为了探索改进化学气相沉积法(CVD)制备薄层MoS2的最佳制备温度,计算了不同温度下该反应体系吉布斯自由能的变化。在热力学计算的指导下,采用多温区管式炉制备MoS2纳米片,对反应温度和沉积温度进行了精准的掌控,并研究了几个重要参考温度对MoS2的影响。结果表明,改进型CVD法制备的薄层MoS2纳米片结晶质量高、厚度均匀;温度对MoS2的形貌、尺寸和结晶质量的影响显著,MoS2的尺寸随温度的升高而增...
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的β-Ga2O3纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的β-Ga2O3纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步...
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth hot-wall CVD reactor
2010/11/18
Thick, high quality 4H-SiC epilayers have been grown in a vertical hot-wall chemical
vapor deposition system at a high growth rate on (0001) 80 off-axis substrates. We
discuss the use of dichlorosil...
碳辅助CVD制备氧化硅纳米线及其光学性能
SiOx(x≤2)纳米线 碳辅助CVD方法 FTIR光谱 光致发光
2009/11/17
利用碳辅助CVD方法, 在1100~1140 ℃、常压、N2/H2气氛下, 以Fe-Al-O复合体系为催化剂, 在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线. 该纳米线直径为20~200 nm, 长数百微米. 利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析; FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482, 806和1095 cm-1)和1132 cm-1无序氧化硅结构的强...
助剂铬对Ni/MgO催化剂CVD法制备碳纳米管的促进作用
碳纳米管 铬助剂 镍基催化剂 甲烷裂解
2009/11/17
采用溶胶-凝胶法制备了助剂Cr改性的Ni/MgO催化剂, 用化学气相沉积(CVD)法在600 ℃下裂解甲烷生长碳纳米管, 研究了助剂Cr的引入对催化剂微结构和制备碳纳米管性能的影响. 催化剂样品用XRD, TPR和CO-TPD进行了分析, 制备的碳纳米管用TEM和XRD进行了表征. 实验结果表明, NiO和MgO之间存在着强相互作用而形成固溶体, Ni/MgO催化剂经氢气处理后其中的镍氧化物只有极...
Electron Mobility Study of Hot-Wall CVD GaN and InN Nanowires
GaN InN Nanowires Electron transport
2010/9/25
A review of the dependence of the electron mobility on the free carrier concentration for gallium nitride and indium nitride nanowires grown using hot-wall chemical vapour deposition is presented. Gal...
电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
ICP-CVD 纳米Si锥 场电子发射 低温生长
2013/10/17
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502 cm-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相。用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30~40 nm，直径约为200 nm。场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7~10 V/μm。
Ni-Mo双金属氧化物催化剂CVD法大量制备成束多壁纳米碳管
多壁纳米碳管束 溶胶凝胶法 化学气相沉积法
2010/1/12
采用溶胶凝胶法合成的Ni-Mo双金属氧化物催化剂,用CVD法催化裂解甲烷从而大量制备高质量高纯度的成束多壁纳米碳管.实验结果表明,该催化剂具有很高的活性和催化效率.反应2 h后,制备的多壁纳米碳管的量可达到初始催化剂量的80倍以上.碳管的直径较均匀,在10～20 nm之间.随着反应时间的延长,制备的纳米碳管石墨化程度增加,反应1 h后,粗产品中纳米碳管的含量就超过了97％. 简单放大后,单炉每克催...
以CH3SiCl3-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃...
Electron Field Emission Measurements from Boron-Doped CVD Diamond on Tantalum
Electron Field Boron-Doped CVD Diamond Tantalum
2010/10/27
Boron-doped polycrystaline diamond films grown by hot-filament-assisted chemical vapor deposition were studied with ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS), Raman spectroscopy, X-ray diffractomet...
CVD法制备单壁碳纳米管的纯化与表征
单壁碳纳米管 化学气相沉积（CVD） 纯化 表征
2010/1/27
针对CVD法合成的单壁碳纳米管的特点提出了较为有效的纯化方法，并对纯化后碳管的存在形式进行了表征.结果表明,CVD法制备的单壁碳纳米管中所含的载体和催化剂绝大部分可以通过盐酸除去.在表面活性剂溶液中超声分散碳纳米管,可以使管与无定形碳及石墨状碎片进行有效的剥离.空气加热氧化法和稀硝酸回流法可有效地去除碳杂质,稀硝酸回流可以在纯化的同时对管的末端及侧壁进行功能化.
单壁碳纳米管的CVD合成及管径分布
单壁碳纳米管 化学气相沉积（CVD） Raman光谱 管径分布
2010/1/28
甲烷在以活性氧化铝为载体的Fe、Co、Ni、Ru等催化剂上于850 ℃分解并生成直径为0.8～5 nm的单壁碳纳米管.预先将催化剂在1100 ℃焙烧，能够减少产物中无定形碳的生成.拉曼光谱结果表明，由该法制备的碳纳米管的管径分布主要受温度的影响，较低温度有利于较小直径的单壁碳纳米管的生成和较好的管径选择性.