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搜索结果: 1-6 共查到理学 InAs quantum dots相关记录6条 . 查询时间(0.1 秒)
We study the variation in the Lande g-factor of electron spins induced by an anisotropic gate potential in InAs quantum dots for potential use as non-charge based logic devices. In this paper,we pres...
We find that detuning an optical pulse train from electronic transitions in quantum dots controls the direction of nuclear spin flips. The optical pulse train generates electron spins that precess abo...
期刊信息 篇名 A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 X.Q. Meng*,P. Jin,B. Xu,C.M. Li,C.Y. Zhang,Z.G. Wang 第一作者单位 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 刊物名称 J. C...
期刊信息 篇名 Abnormal temperature dependence of photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots covered by an InAlAs/InGaAs combination layer 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Z. Y. Zhang*,C. L. Yang,Y. Q. Wei,X ....
期刊信息 篇名 Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 JIN Peng*,MENG Xian-Quan,ZHANG Zi-Yang,LI Cheng-Ming,QU Sheng-Chun,XU Bo,LIU Feng-Qi,WANG Zhan-Guo,LI Yi-Gang,ZHA...
期刊信息 篇名 Dependence of Optical Properties on the Structure of Multi-Layer Self-Organized InAs Quantum Dots Emitting Near 1.3?m 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 X. Q. Meng*,B. Xu,P. Jin,X. L. Ye,Z. Y. Zhang,C. M. Li,a...

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