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窄带InSb半导体材料以其具有高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，并成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体 - 超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构，如纳米线或者 2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而显示出巨大的潜力。然而，InSb量子阱由于其大晶格常数，很难在绝缘基板上外延生长...
InSb芯片碎裂与迸溅金点的关系
锑化铟红外焦平面探测器 迸溅金点 热应力分布 能量释放率
2022/4/1
批量生产中经常发生的锑化铟（InSb）芯片碎裂问题制约着InSb红外焦平面探测器（IRFPAs）成品率的提升。经分析认为：低周期液氮冲击下发生在器件边沿区域的InSb芯片破碎与该区域中迸溅金点的存在有关。为从理论上明晰迸溅金点对InSb芯片局部碎裂的影响，本文建立了包含迸溅金点的InSbIRFPAs结构模型，分析了迸溅金点的存在对应力分布的影响。在此基础上，在应力集中处预置不同长度的初始裂纹用以描...
近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心Q02组的沈洁特聘研究员和荷兰代尔夫特理工大学Leo Kouwenhoven组、微软-代尔夫特量子实验室、荷兰爱因霍弗理工大学Erik Bakker组合作，在强自旋-轨道耦合材料InSb纳米线和超导铝的复合系统做成的量子器件——“马约拉纳岛”中测量出完整的电子奇偶性的相图。
自旋轨道耦合是用来描述电子运动轨道与其自旋自由度之间相互作用的一种效应；利用自旋轨道耦合相互作用，可以实现电场对电子自旋态的高效调控，进而为高性能低功耗的自旋电子器件的研发奠定基础。因此，如何高效地利用和调控自旋轨道耦合成为当前自旋电子学的研究热点。近日，我校信息学院寇煦丰团队利用分子束外延（MBE）技术，制备出基于InSb/CdTe的强自旋轨道耦合异质结体系，并成功利用结构优化和电场调控实现了对...
中国科学院近代物理研究所等InSb半导体纳米线电学输运性质研究取得新进展
中国科学院近代物理研究所 半导体 纳米线 电学
2012/12/3
中科院近代物理研究所材料研究中心与德国Juelich研究中心及美国南加州大学合作开展InSb半导体纳米线电学输运性质研究并取得新进展。近物所材料研究中心科研人员多年来致力于金属和半导体纳米线的制备与性质研究，在纳米线光学性质研究、纳米线晶体结构调控、特殊结构与功能的纳米材料制备等方面均取得了一系列成果。
利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的...
80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应
2007/12/12
文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×1013—7×1017cm-3。由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率等数值,讨论了电子的散射机构以及强磁场下磁阻与磁场强度成一次方正比关系的可能原因。
Interaction Potential for InSb: A Molecular Dynamics Study
Interaction Potential InSb A Molecular Dynamics Study
2010/10/19
Molecular dynamics simulation was used to study structural and dynamical properties of InSb. The effective potential takes into account two and three-body interactions, considering atomic-size effects...
Monte Carlo Simulation of Electron Transport in InSb
Transport properties Scattering rates Infrared dedectors Monte Carlo
2010/4/13
Transport properties of indium antimonide in an electric field have been calculated at 77 K. The calculation shows that ionized impurity scattering plays a dominant role in InSb at low electric field....