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2003Vol.40No.4pp.499-502DOI: First-Principles Studies for the Electronic Structures of Diluted Magnetic Semiconductors (Ga, Fe)As WEI Shu-Yi, WANG Tian-Xing, YANG Zong-Xian, and ...
2005Vol.44No.4pp.727-730DOI: Real-Code Genetic Algorithm for Ground State Energies of Hydrogenic Donors in GaAs-(Ga,Al)As Quantum Dots YAN Hai-Qing,1 TANG Chen,1,2 LIU Ming,1 and...
近日,由我所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握,应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As5~10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块,选择使用导电微悬背,对In(Ga)...
本所博士后李天信同志提出的“In(Ga)As/GaAS量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”获得2003年上海市纳米专项基金资助。李天信同志提出将近年来发展很快的纳米表征技术--扫描探针显微术引入到半导体表面量子点的局部电特性测量领域;并利用合适的离子注入实现对量子点的物性调控以获得材料光电性能的提高,为新型的光电子器件提供性能优化的实验基础。
期刊信息 篇名 Structural and photoluminescence properties of upper In(Ga)As quantum dots on different seed layer with thin GaAs spacer layer 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 J.He*,Y.C.Zhang,B.Xu,Z.G.Wang 第一作者单位 Institute ...
期刊信息 篇名 Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 J.He*,Y.C.Zhang,B.Xu,Z.G.Wang,S.C.Xu 第一作者单位 Instit...
The effects of crossed electric and magnetic fields on the electronic and exciton properties in semiconductor heterostructures have been investigated within the effective-mass and parabolic band appro...
The dependence of the electron Land´e g-factor on carrier confinement in quantum wells recently gained both experimental and theoretical interest. The g factor of electrons in GaAs-(Ga,Al)As qua...

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