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The effects of modulation frequencies (up to 35 kHz) on the intensity- and temperature-dependence of photocurrent of amorphous (a-) Si:H p-i-n and chalcogenide glasses (a-Se and a-As2Se3) were investi...
Si-doped single Ga0.51In0.49P layers and GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field-effect transistor structures grown by gas source molecular beam epitaxy were characterized in detail through Hall-Effe...

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