搜索结果: 1-7 共查到“等离子体物理学 Ar”相关记录7条 . 查询时间(0.103 秒)
托卡马克的高功率长脉冲运行，将导致打到偏滤器靶板的粒子流和热流越来越大，从而使靶板表面受到强烈的溅射刻蚀，靶板热负荷将超过材料/部件可承受的数倍。而靶板损伤产生的杂质可能输运到芯部，影响聚变等离子体品质，增加稳定控制等离子体的难度。降低靶板的溅射和表面热沉积最有效的等离子体物理方案就是在边界适当引入杂质，通过辐射和电荷交换降低靶板表面附近的电子温度，这就是可有效降低靶板热负荷的辐射偏滤器运行方式。...
CHF3/Ar 等离子体刻蚀BST 薄膜的机理研究
钛酸锶钡 反应离子刻蚀 光电子能谱 等离子体
2013/8/27
采用XPS 方法, 通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析, 探讨了CHF3/Ar 等离子刻蚀BST 薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理. 研究结果表明, 在刻蚀过程中, 金属Ba, Sr, Ti 和F 等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面, 因为TiF4 具有高挥发特性, 残余物几乎没有钛氟化物. 然而, XPS 表明Ti-F 仍然少...
高压Ar气对激光诱导土壤等离子体辐射的增强效应
激光诱导等离子体 辐射强度 环境气体压力
2009/10/29
使用高能量钕玻璃脉冲激光器(～30J, 0.7 ms)烧蚀土壤样品获得等离子体，通过对等离子体图像和光谱的采集，以及对烧蚀质量的测量，分析了高气压(0.2～1.1 MPa)Ar气环境对等离子体辐射强度的影响。结果表明，随着Ar气气压的升高等离子体的体积被压缩，温度升高，亮度明显增强。在实验条件下，等离子体发射光谱强度随着环境气压上升而不断提高，但是激光对样品的烧蚀质量却逐渐下降。结合实验过程对测量...
高剂量Ar离子辐照Si缺陷产生及其退火行为EPR研究
Ar离子辐照 缺陷产生 电子顺磁共振 等时退火
2009/6/12
离子在50K以下的低温辐照Si到8×1014/cm2剂量,室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐照引起的缺陷产生及其退火行为,结果表明:Ar离子辐照在Si中引起了中性四空位(Si-P3心)､带正电荷的〈100〉劈裂的双间隙子(Si-P6心)以及连续的非晶层3种缺陷的形成. 在200℃的退火温度,Si-P3心和Si-P6心消失,这时带负电荷的五空位(Si-P1心)开始生长,Si-P1心可...
采用紫外–可见光吸收技术分析和研究了35MeV/uAr离子辐照聚酯膜引起的光吸收改性.结果表明,Ar离子轰击聚酯膜时引起了碳键的共轭体系形成,从而导致了紫外–可见光区域中光吸收明显增加,光吸收增加的幅度依赖于离子的照射剂量、离子在样品中的平均电子能量损失以及光的波长,剂量越高,电子能损越大,光吸收增幅越大;而光的波长越长,光吸收的增加则越不明显.利用测量到的光吸收曲线,同时还定量地研究了各种辐照条...
150keV和195keVAr离子室温下辐照非晶态合金(Co94Fe4Cr2)78Si8B14,表表面发泡和溅射腐蚀是两种主要的表面损伤过程.针孔出现较表面发泡要晚,它的密度随剂量增加迅速地增加,并且在一定的辐照剂量时趋向饱和,这时,一种多孔粗糙的表面损伤结构形成.针孔的形成影响了表面发泡,导致了发泡密度随剂量增加急剧地减小.用溅射和气泡破裂解释了针孔形成和在高剂量时趋向饱和的原因.
红外光吸收研究35MeV/u Ar离子辐照半晶质聚酯膜引起的效应
高能Ar离子辐照 聚酯膜 傅立叶转换的红外光谱仪 断键 吸收 剂量
2008/1/26
35MeV/u Ar离子在室温下辐照了多层堆叠的半晶质聚酯膜,采用傅立叶转换的红外光吸收技术分析和研究了由辐照引起的化学键断裂及其对离子剂量、离子在样品中的平均电子能量损失和吸收剂量的依赖性.结果表明,辐照导致聚酯膜中发生了明显的化学键断裂,断键过程主要发生在反式构型的乙二醇残留物和苯环的对位上,苯环的基本结构在辐照中变化较小.断键不仅强烈地依赖于离子的照射剂量,而且还跟样品中电子能量沉积密切相关...