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利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si衬底上制备了ZnO薄膜，并在薄膜上制作了Ag-ZnO肖特基二极管和Ag-ZnO-Ag肖特基 MSM叉指结构的紫外探测器。所制备的ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向，表面平整，在可见光范围具有较高的透射率，吸收边在370nm附近；所制作的肖特基二极管显示了良好的整流特性，有效势垒高度约为0.65eV；所制作的MSM紫外探测器在5V偏压下漏电流为3.3×10-8A...
