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二氧化硅栅绝缘层的制备与表面修饰（Preparation and Surface modification of SiO2 Gate Insulator for Organic Thin Film Transistors）
二氧化硅 绝缘层 OTS 修饰
2010/8/24
研究了有机薄膜晶体管的二氧化硅栅绝缘层的性质。二氧化硅绝缘层的制备采用热生长法，氧化气氛是O2(g)+H2O(g)，工艺为干氧-湿氧-干氧的氧化过程。制得的绝缘层漏电流在10-9 A左右。以该二氧化硅作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层，并五苯作为有源层制作了有机薄膜晶体管器件。实验表明采用十八烷基三氯硅烷(OTS)进行表面修饰的器件具有OTS/SiO2双绝缘层结构，可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能...