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搜索结果:
1-1
共查到
“
地质学 CVD
”
相关记录1条 . 查询时间(0.067 秒)
CVD
过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响
沉积温度
CVD
SiC
沉积速率
结构
2013/10/12
以CH3SiCl3-H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下
CVD
SiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,
CVD
SiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃...
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