搜索结果: 1-15 共查到“工学 HgCdTe”相关记录32条 . 查询时间(0.096 秒)
HgCdTe面阵探测器是空间红外遥感相机的关键部件，随着性能需求的不断提高，器件的规模尺寸不断扩大。HgCdTe面阵探测器在常温下与承载板进行装配，但在深冷状态下工作，需要耐受200 K左右的温度波动。由于探测器与承载板的线膨胀系数不匹配，温度波动会引起探测器翘曲变形，变形严重时，将导致探测器损伤。提出基于高导热碳纤维的HgCdTe大面阵探测器热适配结构，以碳纤维的轴向高热导率降低结构热阻，以碳纤...
CdS窗口层光谱透射率的提高对CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水浴法、近空间升华法和磁控溅射法制备的CdS薄膜在CdCl2退火前后的光谱平均透过率和短路电流密度损失表明:在光谱区520~820 nm,化学水浴法制备的CdS薄膜在退火前后具有最高的光谱平均透过率,对应的CdTe顶电池有最小的短路电流密度损失;在光谱区820~115...
为了评定基于室温中红外HgCdTe光导探测器的氟化氘激光阵列靶斑仪系统的测量不确定度,需要对HgCdTe光导探测器响应率的温度特性进行定量分析.理论分析了室温中波红外HgCdTe光导探测器响应率与温度和波长的关系,得出了在一定范围内探测器响应率可以近似表示为温度和波长变量分离函数形式的假设.采用波长为3.8 μm和1.31 μm激光光源,分别测量了在-40℃~+30℃温度范围内室温中波红外HgCd...
为了评定基于室温中红外HgCdTe光导探测器的氟化氘激光阵列靶斑仪系统的测量不确定度,需要对HgCdTe光导探测器响应率的温度特性进行定量分析.理论分析了室温中波红外HgCdTe光导探测器响应率与温度和波长的关系,得出了在一定范围内探测器响应率可以近似表示为温度和波长变量分离函数形式的假设.采用波长为3.8 μm和1.31 μm激光光源,分别测量了在-40℃~+30℃温度范围内室温中波红外HgCd...
基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性
辐照效应 阵列探测器 激光 HgCdTe
2016/8/31
使用超连续谱激光辐照PV 型线阵HgCdTe 探测器，探测到了线阵器件输出信号随光照强度变化的全过程，发现了被辐照单元过饱和降压、低压稳定输出的反常响应规律；同时，未被辐照单元也存在响应。在总结实验响应规律的基础上，给出了各不同响应阶段功率阈值范围，并分别对辐照单元出现的过饱和降压、低压稳定输出等异常现象及未被辐照单元存在的整体降压反常响应现象进行了深入研究。研究认为采用CDS 相关双采样电路使器...
HgCdTe甚长波红外光伏器件的光电性能
碲镉汞 甚长波 I-V曲线 变面积
2016/8/30
甚长波指的是波长大于14 μm的波段，该波段富含大量的信息，包括大气中的湿度和CO2的含量，以及云层的结构和温度的轮廓，这些对大气遥感探测是必须的。采用在CdZnTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成平面结，制成了在液氮温度下，截止波长达到14 μm的单元变面积结构和小的焦平面器件。测试结果显示，甚长波器件有反向的开启现象，可能是甚长波器件表面发生反型造成的。单元变面积器件...
液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对器件响应光谱的影响
HgCdTe液相外延薄膜 响应光谱 纵向组分分布 横向组分波动
2016/8/30
研究了HgCdTe液相外延薄膜的组分均匀性对器件响应光谱的影响。提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的方法，考虑了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布和横向组分波动，以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输。使用该方法计算了响应光谱的峰值响应率和截止波长ε液相外延HgCdTe的互扩散区厚度Δz和组分均方差σ的变化规律。结果表明：对于一般的HgCdTe外延薄膜，σ小于0.002，不需要考虑...
PC型HgCdTe光电探测器在双波段组合激光辐照下的温升计算
光电探测器 激光辐照 波段内激光
2009/8/24
把传统漂移扩散模型和热传导方程相结合，模型中波段内正常探测信号激光作为背景光，波段外激光作为干扰和毁伤用激光，考虑波段内激光的本征载流子带间跃迁吸收和波段外激光的自由载流子带内跃迁吸收的光吸收机制，以及器件温升与载流子寿命、浓度、迁移率和光吸收系数等材料参数之间的相互影响，数值计算了PC型HgCdTe光电探测器在双波段组合激光辐照下的温度响应过程，得到了不同功率密度的波段内和波段外激光组合辐照对探...
激光辐照下PV型HgCdTe探测器反常响应机理
PV型HgCdTe探测器 热载流子效应 开路电压
2009/8/21
利用PV型探测器开路电压的表达式，并考虑探测器的温度变化建立模型，对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时，计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时，对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋势以及激光完全停照后的热弛豫过程，该模型也能给出较好的解释；但对于激光开始辐照时输出下跳和激光停止辐照时输出上跳的反常现象，该模型不能给出合理的解释。分析认为，该模型较好...
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（上）
HgCdTe MIS器件 制备 界面电学特性
2009/5/19
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（上）。