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上海微系统所在IEDM 2024上发布面向5G/6G声波器件的新型预定义压电异质衬底解决方案(图)
器件 半导体 电子 耦合
2024/12/21
2024年12月17日,第70届国际电子器件大会(IEDM 2024)在美国旧金山召开。上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为 “Predefined Novel Piezo-on-Insulator (PN-POI) Substrates for 5G/6G Acoustic Devices” 的最新研究成果,博士生柯新建、吴进波博士、张师斌研究员为本论文共同第一作者,黄凯副研究员...
2023年12月25日,第69届国际电子器件大会(IEDM 2023)在美国旧金山召开。上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为“Miniaturized Dual-Mode SAW Filters using 6-inch LiNbO3-on-SiC for 5G NR and WiFi 6”的最新研究成果,博士生郑鹏程、张师斌副研究员、华南理工大学徐金旭副教授为本论文共同第一作,张...
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM(图)
东南大学 电子器件 IEDM IEEE
2023/7/17
山东大学信息学院陈杰智教授课题组在微电子器件领域顶级国际会议(IEDM 2021)发表闪存存算一体芯片等三项最新研究成果(图)
山东大学信息学院 陈杰智 微电子器件 顶级国际会议 IEDM 闪存存算一体 芯片
2021/12/16
近日,第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)在线上线下联合举行,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的三篇研究论文“In-depth Understanding of Polarization Switching Kinetics in Polycrystalline Hf0.5Zr0....
电子科技大学电子科学与工程学院博士生受邀在IEDM 2020 T-ED Special Issue发表文章
电子科技大学电子科学与工程学院 IEDM 2020 T-ED Special Issue 电子器件
2021/4/25
近日,电子科技大学电子科学与工程学院(示范性微电子学院)功率集成技术实验室(PITEL)博士生袁章亦安受微电子器件领域顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)程序委员会主席Tibor Grasser邀请,在IEDM 2020 T-ED Special Issue上发表题为“Improved Model on Buried-Oxid...
由于新冠病毒疫情的影响,第66届国际电子器件大会(IEDM)于2020年12月12日至18日首次采取线上会议形式,也为这个历史悠久的顶级学术会议带来不一样的感受。在本届IEDM上,北京大学黄如院士团队发表了4篇高水平学术论文,研究成果覆盖了先进逻辑器件、神经形态器件、神经网络硬件、智能传感器等多个领域,这也是北京大学微纳电子研究院连续14年在IEDM大会上发表论文,其中2篇论文来自类脑智能芯片中心...
2020年12月12-18日,第66届IEEE国际电子器件会议(IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM))因疫情原因,在美国旧金山通过线上虚拟会议形式举行。南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院于志浩、徐勇课题组论文“Reliability of Ultrathin High-κ Dielectrics on Chemical-vap...
2020年12月12-18日,2020 IEEE国际电子器件大会(International Electron Devices Meeting,IEDM)在美国旧金山通过线上召开。电子科技大学电子科学与工程学院(示范性微电子学院)功率集成技术实验室(PITEL)在大会上发表题为《An Improved Model on Buried-Oxide Damage for Total-Ionizing-...
近日,第66届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)在线上举行,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的两篇研究论文《Deep Insights into the Failure Mechanisms in Field-cycled Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2Thin F...
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术,验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA,Gate All Around),实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一,为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离和转移技术,将单晶压电薄膜与高声速、高导热的支撑衬底集成,研制出可同时激发声表面波和兰姆波的压电异质衬底,并基于上述衬底验证了适用于3G、4G、5G应用的高性能射频声学器件。相关技术方案于12月15日以“Surface Wave and Lamb Wave Acoustic Devices on Heterogenous Substrate f...
北京大学信息科学技术学院微纳电子学系6篇论文在IEDM 2019大会发表
北京大学信息科学技术学院 微纳电子学 6篇论文 IEDM 2019 大会
2019/12/27
近日,以北京大学信息科学技术学院微纳电子学系为第一作者单位的6篇论文在美国旧金山举行的第65届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(IEDM 2019)上发表。参会的北京大学师生与世界各地的研究人员进行了充分的交流,向国际电子器件领域的同行展示了北京大学最新的研究成果。这6篇论文内容涉及新型神经形态器件、器件的涨落可靠性、新型沟道材料晶体管等多个学术前沿领域,详细介绍如下:
近日,我院缪向水团队类脑计算工作被IEEE顶级会议IEDM接收,IEEE国际电子器件会议(IEEE International Electron Devices Meeting,缩写IEDM)是世界上报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模领域的技术突破的杰出论坛,也是微电子器件领域的顶级会议。IEDM作为全球最大最具影响力的论坛之一,在推动诸如微纳电子器件缩微持续进展、三维集成和各类先进...
浙江大学信息与电子工程学院赵毅教授课题组基于硅基忆阻器(PLRAM)的深度学习芯片研究成果被IEDM 2019接收(图)
浙江大学信息与电子工程学院 赵毅 教授 硅基忆阻器 PLRAM 深度学习芯片
2019/10/11
近日,信电学院赵毅教授课题组与上海华虹宏力、杭州闪亿的合作研究工作-基于成熟集成电路硅工艺的新型人工突触芯片及其在语音识别中的应用-被2019 IEEE国际电子器件会议IEDM(International Electron Devices Meeting)接收。该项工作提出了一种基于集成电路硅工艺的新型忆阻器(PLRAM),它可以储存7位比特以上的信息。进一步利用该新型忆阻器器件,研究团队实现了存...
陈杰智教授课题组论文在微电子器件领域顶级国际会议IEDM上发表
陈杰智 教授 课题组论文 微电子器件 领域 顶级国际会议IEDM 发表
2018/12/17
2018年12月1日至12月5日,第64届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)在美国旧金山举行,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的论文《Computational Design of Silicon Contacts on 2D Transition-Metal Dichalcogenid...