搜索结果: 1-15 共查到“工学 PIN”相关记录50条 . 查询时间(0.092 秒)
Vishay新型硅PIN光电二极管，提高在生物医学应用中的灵敏
Vishay 硅PIN 光电二极管 生物医学
2024/10/14
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型硅PIN光电二极管---VEMD8082，在可见/近红外波长下，该器件可为心率和血氧监测等生物医学应用领域提供更高的灵敏度。与前几代解决方案相比，最新推出的VEMD8082具有更高反向光电流、更低二极管电容以及上升和下降时间更快的特点。此外，器件体积小至4.8 mm x 2.5 mm x...
三菱电机开始提供用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品
三菱 电机 光纤通信 芯片
2024/10/14
三菱电机集团近日宣布，将从2024年10月1日起开始提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管（PD）芯片样品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片，将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据，从而扩大光收发器的通信容量，从而有助于提高数据中心内的通信速度和容量。
在压水堆堆芯Pin-by-pin计算中，采用超级均匀化（SPH）方法作为均匀化技术，对燃料组件传统SPH因子进行计算，生成了Pin-by-pin等效均匀化参数。针对存在中子泄漏现象的反射层组件，研究了与空间泄漏相关的SPH方法，在保证反应率守恒的基础上，同时保证各栅元各能群的中子泄漏率守恒，解决了存在中子泄漏时SPH因子迭代计算的不收敛问题，生成了反射层组件的等效均匀化参数。基于KAIST基准题，...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制自主可控的AIGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 自主可控 AIGaAs PIN 异质结 毫米波 单片开关芯片
2020/8/11
上海微系统所孙晓玮研究员团队联合杭州芯影科技有限公司、福联集成电路有限公司研制成功自主可控的AlGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片，实现了国外同类产品的一对一替代。单刀双掷（SPDT）、单刀四掷（SP4T）的芯片，各项指标达到或各别指标优于国外同类芯片指标。特别是国内首次研制成功了自带偏置的同类型开关芯片。毫米波PIN开关具有切换时间短、隔离度高、插损小等特点，在毫米波成像仪、宽带开关阵列...
基于三阶简化球谐函数（SP3）方法，分别采用3种不同的偏流表达形式，开发了SP3解析基函数展开节块程序。利用基准例题对程序进行了数值检验，并对3种偏流表达形式的计算精度进行了对比分析。数值结果表明：SP3解析基函数展开节块方法应用于pin-by-pin输运计算时，能获得较高的棒功率计算精度；3种偏流表达形式中，Marshak偏流表达形式计算精度最高，另外两种偏流表达形式计算精度稍差，但更利于程序算...
基于PIN光电二极管的个人辐射探测器研制
辐射探测器 PIN光电二极管 智能终端
2020/4/22
为使公众能自行探测所处环境的辐射水平，本文利用PIN光电二极管直接测量X/γ射线的原理研制了便携式环境辐射探测系统，该系统采用智能终端控制探测设备。其中，探测模块中设计了弱信号放大电路，控制和通信模块的设计基于无线微控制器。该环境辐射探测器具有低成本、低功耗、体积小、易使用、易组网等特点。经国防科技工业电离辐射一级计量站检定，探测器各项指标均符合国家剂量仪鉴定规程JJG 521—2006的要求。
Wearable devices can give away your passwords, according to new research.In the paper "Friend or Foe?: Your Wearable Devices Reveal Your Personal PIN" scientists from the Stevens Institute of Technolo...
武汉理工大学光电技术课件第五章第四节 PIN光敏二极管。
基于APD-PIN结电容平衡电路的门控单光子探测器
单光子探测 低通滤波器 雪崩光电二极管
2016/8/16
以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性相近的PIN高频二极管研发了APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路,可有效地抑制门控微分噪声中的低频分量,抑制比大于40 dB。采用一组...
采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器
可变增益放大器 PIN二极管 小信号等效电路 锗硅异质结双极晶体管 射频
2017/1/4
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试...
华南师范大学光电子材料与技术研究所光电子器件与分析课件第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计
华南师范大学光电子材料与技术研究所 光电子器件与分析 课件 第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计
2014/7/2
华南师范大学光电子材料与技术研究所光电子器件与分析课件第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计 。
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2016/7/15
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2016/5/31
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
为了解决碳纤维/酚醛树脂体系Z-pin拉挤制品中的孔隙缺陷,实现耐烧蚀复合材料三维增强体的制备,在分析孔隙的形成与酚醛树脂的固化过程基础上,利用纤维加捻提高酚醛树脂固化压力进而改善Z-pin中的孔隙缺陷.研究表明:一定范围内,随着纤维捻度的增加,孔隙缺陷的尺寸与数量明显减少,Z-pin中树脂质量分数及可植入深度逐渐降低,而Z-pin抗压性能先提高后降低;碳纤维捻度为80捻/m时,Z-pin制品质量...