搜索结果: 1-6 共查到“工学 PbSe”相关记录6条 . 查询时间(0.062 秒)
近期，中科院合肥研究院固体所能源材料与器件制造研究部秦晓英研究员课题组与南方科技大学合作在p-型Bi0.4Sb1.6Te (BST)材料体系热电性能调控方面取得新进展。研究人员基于散射工程策略向BST基体中引入 PbSe纳米颗粒以同时调控对少子、多子以及声子的散射，从而大幅提升高温区的热电势并降低晶格热导率，使含0.2vol. % PbSe的复合样品的最大ZT（热电优值）达到1.56 (420K)...
通过原位合成法以聚乙烯醇辅助合成了6.5 nm、10 nm和15 nm的PbSe量子点,研究了掺杂PbSe量子点的光致聚合物的全息特性.将三种尺寸的PbSe量子点按不同浓度分别掺入光致聚合物中,制成无机-有机复合型光致聚合物膜,并对其全息性能进行研究.复合聚合物膜的UV-Vis吸收光谱表明掺入的PbSe量子点并未与聚合物中的有机组分发生化学反应.采用氩氪离子激光器输出的647 nm红光研究了复合聚...
PbSe薄膜的表面腐蚀改性研究
PbSe 陷光结构 敏化改性
2015/3/4
采用磁控溅射法制备PbSe薄膜,并用配制的腐蚀液进行不同时间的表面处理,从而得到不同表面形貌的薄膜结构.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对处理后的PbSe薄膜的表面形貌、晶体结构以及光学性能进行了表征,同时对薄膜的光电导性能进行测试.结果表明,薄膜经此工艺处理后,表面形成了一系列纳米陷光结构,并有着不同程度的氧化.不同腐蚀时间下,薄膜的光电...
介电限域效应对PbSe量子点禁带宽度计算的影响研究
介电限域效应 硒化铅 禁带宽度
2012/1/5
考虑了PbSe量子点介电限域效应对激子的影响，引入了修正因子，提出了一种新的量子点禁带宽度的计算模型．与实验数据比较，两者具有良好的一致性．尤其是在小尺寸量子点的情况下，修正后的模型与实验值表现出更好的一致性．通过调整受限势垒的大小，分析不同溶剂条件下PbSe禁带宽度的计算模型，说明采用的修正模型对溶剂的变化是不敏感的，与实验的结论是一致的.
化学液相沉积制备PbSe薄膜生长过程及其性能研究
化学液相沉积 PbSe薄膜 薄膜生长
2013/9/30
采用化学液相沉积方法在醋酸铅溶液体系中制备了厚度在微米量级的PbSe薄膜，通过扫描电镜X射线衍射和红外光谱分析等测试手段研究了PbSe薄膜的生长过程以及沉积时间对薄膜相结构表面形貌和红外透光性能的影响 研究结果表明: 随着沉积时间的增加，薄膜致密度增大，Se/Pb原子比增加，都为表面富Se的PbSe薄膜; 在不同沉积时间下薄膜都为完全晶化的立方结构，各衍射峰清晰; 薄膜厚度对其光学性质也有影响，随...