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MBE生长高功率980nm应变量子阱激光器研究
激光器 应变量子阱
2008/10/14
本项目得到“MBE生长高功率980nm应变量子阱激光器研究”（20000535）的资助。980nm应变量子阱激光器采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制量子阱线性缓变折射率波导结构，利用分子束外延技术生长获得。经过光刻、腐蚀、蒸发、合金、解理等工艺制作出激光器厘米条，再采用铟焊、金丝球焊等技术将厘米条激光器组装在热沉上，封装成完整线列阵器件。该项目研制的980nm半导体激光器采用InGa...
MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究
光致荧光 分子束外延 双晶衍射
2008/6/30
本文用低温光致荧光(PL)谱及X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的GaAlAs/GaAs(100)量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性.通过改变衬底温度、Ⅴ/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料,低温光致荧光峰的半峰宽达到1.7meV,双晶衍射峰的半峰宽为9.68″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进...