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搜索结果: 1-4 共查到薄膜光学及技术 HfO2相关记录4条 . 查询时间(0.14 秒)
利用电子束蒸发技术制备了氧化铪薄膜,并分别用氧气氛下退火和激光预处理两种后处理方法对样品进行了处理。介绍了两种后处理工艺和相关的设备,测试分析了样品的透过率、吸收和抗激光损伤阈值。对比了两种后处理方法对降低吸收和提高激光损伤阈值的效果,讨论了它们的作用原理。实验结果表明,激光预处理能有效降低样品的吸收值,提高样品的抗激光损伤阈值。采用一步法(50%初始损伤阈值)预处理后,三倍频氧化铪薄膜的损伤阈值...
在加热的BK7基板上,采用电子束蒸发(EB)工艺制备了一系列不同厚度的HfO2单层膜,对HfO2薄膜生长过程中的折射率非均质性进行了研究。光谱分析表明薄膜非均质性与其厚度息息相关。X射线衍射(XRD)测试表明不同非均质性薄膜对应不同的微观结构;薄膜的微观结构主要由薄膜的生长机制决定。当膜厚较薄时,薄膜不易结晶,呈无定形态,此时薄膜呈正非均质性。如果沉积温度足够高,则薄膜达到一定厚度后开始结晶,此后...
采用电子束直接蒸发氧化铪和反应蒸发金属铪两种沉积工艺制备了单层HfO2薄膜,并用氧等离子体对薄膜进行了离子后处理. 利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对HfO2薄膜的残余应力进行了研究,讨论了不同沉积工艺和离子后处理对残余应力的影响. 实验结果表明:两种沉积工艺下沉积的薄膜皆为张应力,反应蒸发金属铪制备的薄膜应力较小;经过离子后处理,直接蒸发薄膜的应力明显减小,而反应蒸发薄膜的应力稍...
基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50~140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明:当APS源...

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