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高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究
GaAs光电阴极 偶极子 表面势垒 量子效率
2011/4/26
研究了高温Cs激活过程中，GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后，通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程，得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式，通过求解薛定谔方程得到了到达阴极表面的光电子的逸出概率公式，利用公式对GaAs光电阴极的Cs激活过程进行了分析。分析发现，激活过程中GaAs光电阴极的量...
用分子束外延(MBE)技术, 在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度（从1016 cm-3到1018 cm-3）的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析，拉曼位移出现了明显的移动，光学横模TO峰相对的增强，光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高，致使界面失配位错不断地提高造成的，内部应力也在不断的增大，原来的晶格振动...