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CVD金刚石薄膜传感器件
传感器 金刚石薄膜
2008/10/20
CVD金刚石、SiC等宽能带隙半导体是能在高温下使用的新型半导体材料，且抗辐射能力强、耐腐蚀性能好，被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。该项目首先提出以1类应力诱导2类应力变化为主线分析硼掺杂金刚石压阻效应，直接指导薄膜半导体器件的研制工艺。提出无籽晶无偏压准单晶沉积法，探索在光滑的硅衬底上沉积致密、光滑的金刚石膜片以及硼掺杂金刚石膜电阻，以使其应力分布均匀，提高传感器的稳定性和一致性。