搜索结果: 1-5 共查到“动力与电气工程 p-GaN”相关记录5条 . 查询时间(0.02 秒)
伴随电力电子技术在环保节能、智能电网中的应用,高压大功率的电力电子设备得到大力推广。GaN器件变流器因其特殊的控制性能变成大功率、高压化控制的核心。设计了一种基于神经网络PSD算法的GaN器件变流器控制系统。当GaN器件变流器出现异常后,系统中故障信息采集模块能够高效采集GaN器件变流器异常信息并传输至自适应控制模块,自适应控制模块采用神经网络PSD算法,实现GaN器件变流器自适应控制。
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
氮化镓高电子迁移率晶体管 堆叠半桥 LLC 宽电压输入
2024/3/15
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆，锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时，也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时，为了提高电源开关频率与设备效率，将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（gallium nitride high electron mobility transistor）器件引入到LLC变换器设计中。...
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势 GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯...
AlGaN/GaN HEMT是下一代大功率电力电子器件的发展方向之一。然而在高压大功率动态下工作时，AlGaN/GaN HEMT会出现动态特性比静态特性变差的现象，即所谓的电流崩塌现象。场板结构是抑制电流崩塌、改善器件动态特性的常用方法。