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低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响
HgCdTe 退火 辐照效应
2009/2/19
研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1 Mrad的辐照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为313～333 K，退火时间在5~16 h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的γ辐照效应的影响。实验表明：低...
Molecular Beam Epitaxy of HgCdTe for IR FPAs Detectors
Molecular Beam Epitaxy HgCdTe IR FPAs Detectors
2010/7/15
The recent progress in MBE growth of HgCdTe at the Epitaxy Research Center for Advanced Materials, and the National Laboratory for Infrared Physics is reported. It is found that the excellent composit...