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中国科学院半导体研究所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
砷化镓 自旋极化 半导体材料 自旋电子学
2024/10/25
中国科学院半导体研究所赵建华研究员团队与美国佛罗里达州立大学熊鹏教授团队在半导体自旋电子学领域开展了长期合作攻关，提出利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流（即“手性诱导自旋选择性效应”，Chirality-Induced Spin Selectivity，CISS） 的新型方案，用于在半导体中产生自旋极化。科研团队以“手性分子/半导体GaAs沟道”为核心构建横向自旋电子器件，观察到了表征自旋成功...
中国科学院半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题，受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中，通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化，将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题，从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
中国科学院半导体研究所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线
低温LT-GaAs材料 成功应用 制备太赫兹天线
2012/12/21
太赫兹(THz)波通常是指频率在0.1～10THz（波长介于微波与红外波之间的0.03～3毫米范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分辨率。太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以比X射线技术更具优势。此外，许多生物大分子的振动和转动共振频率也处在太赫兹波段。因此，开发太赫兹波技术将对宽带通信、雷达...
GaAs量子阱的能级分析
GaAs 量子阱 波函数
2009/9/23
通过用Numerov方法求解Schrödinger方程计算了GsAs量子阱内的能级和波函数,详细地讨论了能级对各种参数——包括阱宽、势垒高度和外加电场的依赖关系。这些结果有助于GaAs/AlGaAs量子阱结构的光电性质研究和器件设计。
外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
砷化镓 光导开关 闭合时间
2010/2/21
通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异，分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响。实验开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成，电极间隙为12 mm。使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验。使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形。实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响，回路电感影...
非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
EL2 位错 AS沉淀
2009/9/1
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
分子束外延 表面形貌 AFN
2009/5/20
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制。
原子氢辅助分子束外延GaAs（331）A表面形貌演化
原子氢 分子束外延 高指数面
2009/2/8
研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明：在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而在原子氢辅助分子束外延情况下,当GaAs淀积量相同时GaAs外延层台阶的密度增大宽度减小.认为这是由于原子氢的作用导致Ga原子迁移长度的减小.在GaAs(331)A台...
GaAs集成电路CAD
CADGaAs 集成电路 计算机辅助设计
2008/10/30
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1.成果内容简介：该专题在SUN工作站上建立了面向用户的、多功能的MIMICAD和VHSICCAD整套实用化CAD系统。主要应用于微波集成电路、GaAs超高速集成电路(合称GaAsIC)的CAD设计；为“八五”期间的GaAsIC研制提供了精确的设计；进一步提高电路性能、降低成本、缩短电路研制周期。目前该成果已为200余种GaAsIC提供了设计依据。产生了明...
GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定
GaAs MESFET 载流子浓度 漂移迁移率
2008/10/27
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同...
GaAs-AlGaAs双异质结（DH）外延片的位错检测
GaAs-AlGaAs 双异质结 外延片 位错检测
2008/10/24
我们用熔融KOH作位错腐蚀剂,并用位错跟踪腐蚀的方法显示DH外延片的位错,结果表明,可以依照 DH外延片顶层(P~+-GaAs层)的位错腐蚀坑形状,区分出从 n-GaAs延伸上来的位错和由异质结外延引进的位错.
GaAs微波单片集成电路
单片接收机 集成电路 微波集成电路 专用集成电路
2008/9/24
成果内容简介：接收机共由4单元电路组成一低噪声放大器、混频器、介质振荡器(带缓放)和中频放大器。4种MMIC封装在JF14F型管壳内。各芯片所需电源由外部偏置电路从+9V和-6V分压得到。管壳、偏置电路及稳频介质块封装在61.4mm×38.4mm×35mm腔体内，射频输入和中频输出为SMA-K接头，组成一完整整收机。按《WD77型Ku波段GaAs单片接收机组件详细规范》规定接收机通过微波组件企业标...
一种平面型GaAs场效应晶体管
平面型 GaAs场效应 晶体管
2008/9/24
本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.