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搜索结果: 1-2 共查到电子科学与技术其他学科 LDD相关记录2条 . 查询时间(0.068 秒)
We propose a model of the surface potential and the threshold voltage for submicron lightly-doped drain LDD nMOSFET’s in relation with the localized defects at the interface Si–SiO2 in the overlap n&#...
The electrical properties of the drain-substrate diode of MOSFETs are shown to be related to the device geometrical structure. The two dimensional analysis takes into account the edge effects of the l...

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