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场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界面的尺寸小，晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响，导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度（即源极到漏极间的距离）实际上已经达到了几纳米的尺寸，如台积电最新的5...
近年来，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室高鸿钧院士带领研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展了系统的研究和探索，取得了一系列重要研究成果。在早期的研究工作中，他们发现在过渡金属表面外延生长的石墨烯具有大面积、高质量、连续、层数可控等优点 [Chin. Phys. 16, 3151 (2007); Adv. Mater. 2...
2020年9月8日，国家知识产权局公开一件由广西中烟工业有限责任公司申请的发明专利：一种纳米SiO2-壳聚糖三维凝胶的制备方法及在卷烟滤嘴中的应用。该发明公开了一种纳米SiO2-壳聚糖三维凝胶的制备方法及在卷烟滤嘴中的应用。将壳聚糖溶于醋酸溶液中，加入纳米SiO2粉体，然后滴加发泡剂十二烷基硫酸钠（SDS）溶液，再滴加NaHCO3溶液，经水浴加热后得到水溶胶，水溶胶经去离子水清洗、冷冻干燥后得到纳...
利用SiO2薄膜，台湾淡江大学推出小型压力传感器
台湾淡江大学 传感器 芯片
2006/2/10
中国粉体工业信息网2006年2月9日讯 台湾淡江大学机械与电机工程系日前开发成功出尺寸为50μm×50μm的小型压力传感器芯片。通过对压力传感器部分的薄膜形成手法进行改进，实现了小型化。同时还使用明胶对传感器部分进行了封装。这种压力传感器可用于生物相关领域。