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应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
2007/7/28
专著信息
书名
应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
语种
中文
撰写或编译
作者
俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光地
第一作者单位
出版社
半导体光电, 26(3), 232, 2005
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器研制
专著信息
书名
Recrystallization behavior of high-dose Mn -implanted GaAs
语种
英文
撰写或编译
作者
Wang J.Q.,Li Z.F.,Cai W.Y.,Miao Z.L,Chen X.S.,Lu W
第一作者单位
出版社
APPLIED PHYSICS A76, 975-978 (2003)
出版地
出版日期
2003年
月
日
标...
期刊信息
篇名
Structure and Photoluminescence Study of InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown via Cycled (InAs)n/(GaAs)n Monolayer Deposition
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Jun He*,Xiao-Dong Wang,Bo Xu,Zhanguo Wang and Sheng-Ch...
期刊信息
篇名
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
X.Q. Meng*,P. Jin,B. Xu,C.M. Li,C.Y. Zhang,Z.G. Wang
第一作者单位
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
刊物名称
J. C...
期刊信息
篇名
Structural and photoluminescence properties of upper In(Ga)As quantum dots on different seed layer with thin GaAs spacer layer
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
J.He*,Y.C.Zhang,B.Xu,Z.G.Wang
第一作者单位
Institute ...
期刊信息
篇名
High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080nm
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Hui-Yun Liu*,Bo Xu,Yong-Qiang Wei,Ding Ding,Jia-Jun Qian,Qin Han,Ji-Ben Liang,and Zhan-Guo Wang
第一作者单位
Inst...
期刊信息
篇名
Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination layer
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Z.Y. Zhang*,B. Xu,P. Jin,X.Q. Meng,Ch.M. Li,X.L.Ye,Z.G. Wang
第...
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
2007/7/28
期刊信息
篇名
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Z.Y. Zhang*,B. Xu,P. Jin,X.Q. Meng,Ch.M. Li,X.L.Ye,D.B. Li Z.G. Wang
第一作者单位
I...
期刊信息
篇名
Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
JIN Peng*,MENG Xian-Quan,ZHANG Zi-Yang,LI Cheng-Ming,QU Sheng-Chun,XU Bo,LIU Feng-Qi,WANG Zhan-Guo,LI Yi-Gang,ZHA...
期刊信息
篇名
Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
J. He*,B. Xu,Z.G. Wang,S.C. Qu,F.Q. Liu,T.W. Zhu,X.L. Ye,F.A. Z...
期刊信息
篇名
Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
J.He*,Y.C.Zhang,B.Xu,Z.G.Wang,S.C.Xu
第一作者单位
Instit...
期刊信息
篇名
The numerical simulation and analysis of the new 8-14μm GaAs/GaAlAs quantum well infrared photodetectors
语种
英文
撰写或编译
作者
Li Qun,Du Chun-Xia,Guang-Di Shen etc
第一作者单位
刊物名称
SPIE Proceeding Series
...
用红外脉冲激光触发半绝缘GaAs 光电导开关的研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
用红外脉冲激光触发半绝缘GaAs 光电导开关的研究
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
张显斌,施卫,李琦
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
强激光与粒子束 （EI收录）
页面
出版日期
2002年
06月
日
文章标识(ISSN)
1001-4322
相关项目
大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源的研究
期刊信息
篇名
Optically Activated Charge Domain Model for High-gain GaAs Photoconductive
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
施卫
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
半导体学报 （EI收录）
页面
出版日期
2001年
月
日
文章标识(ISSN)
0253-4177
相关项目
大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源...