搜索结果: 1-11 共查到“学术指南 理学 semiconductors”相关记录11条 . 查询时间(0.145 秒)
Quasineutral limit of the drift diffusion models for semiconductors with the general initial data
2007/7/28
专著信息
书名
Quasineutral limit of the drift diffusion models for semiconductors with the general initial data
语种
英文
撰写或编译
作者
C. Schmeiser,王术
第一作者单位
出版社
Math. Models and Methods Appl. Sci.,13(4)(2003), 463...
专著信息
书名
Quasineutral limit of a nonlinear drift-diffusion models for semiconductors
语种
英文
撰写或编译
作者
I. Gasser,肖玲,P. A.Markowich,王术
第一作者单位
出版社
J. Math. Anal. Appl., 268(1)(2002), 184-199
出版地
出版日期
2002年
...
专著信息
书名
Quasineutral limit of a standard drift diffusion model for semiconductors
语种
英文
撰写或编译
作者
肖玲,P. A. Markowich,王术
第一作者单位
出版社
Sci. China Ser. A(中国科学), 45(2002), 33-41
出版地
出版日期
2002年
月
日
标准书号
介质类型
...
The asymptotic behavior of global smooth solutions to the macroscopic models for semiconductors
2007/7/28
专著信息
书名
The asymptotic behavior of global smooth solutions to the macroscopic models for semiconductors
语种
英文
撰写或编译
作者
肖玲,王术
第一作者单位
出版社
Chin. Ann of Math.(数学年刊), 22B:2(2001), 195-210
出版地
出版日期
2001年
月
...
期刊信息
篇名
The Relaxation Limits to the Bipolar Hydrodynamic Model for Semiconductors
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Ling Hsiao,N. J. Mauser and Kaijun Zhang
第一作者单位
东北师范大学
刊物名称
Applied Mathematics Letters
页面
17, 95-1...
On Mathematical Modelling and Analysis in Semiconductors and Superlattices Part II: Modelling,
2007/7/28
期刊信息
篇名
On Mathematical Modelling and Analysis in Semiconductors and Superlattices Part II: Modelling,
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Xiao L.,Qiu Y.,and Zhang K. J.
第一作者单位
东北师范大学
刊物名称
Advances in Mathematics (Chi...
On Mathematical Modelling and Analysis in Semiconductors and Superlattices Part I: Modelling,
2007/7/28
期刊信息
篇名
On Mathematical Modelling and Analysis in Semiconductors and Superlattices Part I: Modelling,
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Xiao L.,Qiu Y.,and Zhang K. J.
第一作者单位
东北师范大学
刊物名称
Advances in Mathematics (Chin...
Pseudo-Hydrodynamic Approximation Transient Computation of Energy-Transport Models in Semiconductors
2007/7/28
期刊信息
篇名
Pseudo-Hydrodynamic Approximation Transient Computation of Energy-Transport Models in Semiconductors
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
TANG Shao-Qiang,ZHANG Da-Peng
第一作者单位
北京大学
刊物名称
Chinese Phys. Lett.
页面
22(...
A plane-wave pseudopotential study on III-V zinc-blende and wurtzite semiconductors under pressure
2007/7/28
期刊信息
篇名
A plane-wave pseudopotential study on III-V zinc-blende and wurtzite semiconductors under pressure
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
S. Q. Wang,H. Q. Ye
第一作者单位
中国科学院金属研究所
刊物名称
J. Phys. : Condens. Matt
页面
14, ...
期刊信息
篇名
Intermediate-coupling polaron properties in wurtzite nitride semiconductors
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
闫祖威1,2,班士良2,梁希侠2
第一作者单位
1 内蒙古农业大学理学院；2 内蒙古大学理工学院
刊物名称
Phys. Lett.A326
页面
9
出版日期
2004年
4月
日
文章标识(IS...
期刊信息
篇名
Self-trapping energy and effective mass of polaron in wurtzite nitride semiconductors
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
闫祖威
第一作者单位
内蒙古农业大学理学院
刊物名称
Mod. Phys. Lett. B19
页面
8
出版日期
2005年
6月
日
文章标识(ISSN)
0217-984...